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本发明涉及一种晶圆级封装方法，在晶圆上各晶片之间的连接梗上形成通孔；在所述晶圆上形成保护层，并露出用于植焊球的植球点，所述保护层包括形成在所述晶圆顶面的上保护层、形成在所述晶圆底面的下保护层、以及在各所述通孔之间的中间保护层，所述中间保护层...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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