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本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型深阱，形成于深阱中的第二导电类型阱，形成于第二导电类型阱部分区域中的第一导电类型阱，第一导电类型漂移层形成于第一导电类型阱表面并延伸到第一导电类型阱周侧的第二导电类型阱表面，栅极结构覆盖第二导...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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