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一种压力传感器及其形成方法,其中压力传感器包括:基底,在基底中形成有晶体管;位于基底上的层间介质层,所述层间介质层覆盖基底和晶体管,在层间介质层中形成有下极板,所述下极板的上表面暴露,所述下极板与晶体管电连接;位于所述层间介质层上的压力感应...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种压力传感器及其形成方法,其中压力传感器包括:基底,在基底中形成有晶体管;位于基底上的层间介质层,所述层间介质层覆盖基底和晶体管,在层间介质层中形成有下极板,所述下极板的上表面暴露,所述下极板与晶体管电连接;位于所述层间介质层上的压力感应...