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本发明实施例公开了一种场效应器件及其制备方法，用于解决现有的隧穿晶体管存在的多种缺陷，本发明实施例方法包括：具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底表面形成的、具有第一种掺杂类型的漏区；在漏区表面形成凸体；在凸体以外的漏区表面形成的栅极...
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