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本实用新型提供一种LED结构，通过离子注入工艺在P型外延层的预定区域中形成高阻态阻挡层以提高LED芯片的发光亮度，由于本实用新型所提供的LED结构的阻挡层材料是高阻态的P型GaN且其设置于P型外延层的内部，所以不存在粘附性差导致P焊盘和扩展...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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