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本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其生长方法，包括衬底层，该衬底层上从下至上依次生长有成核层、缓冲层、势垒层和沟道层，其中：所述衬底层为蓝宝石、或SiC；所述成核层为AlN、GaN或AlGaN；所述缓冲层为GaN，所述沟道层...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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