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本发明涉及一种原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法，将经严格清洗的基底放入ALD腔内，使用六羰基钨(W(CO)6)固体钨源和H2S气体硫源制备WS2薄膜。原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到300-400℃的沉积温度；设置钨前驱体源...该专利属于上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司授权不得商用。