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本发明公开一种共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法，该模拟光电探测器芯片包括：外延片以及形成于所述外延片背面的欧姆接触层；所述外延片包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、钝化层、掺杂光敏区、限制沟、增透过渡薄膜层、P型电极金属层、N型...
该专利属于深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司授权不得商用。

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