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一种基于SOI阻挡杂质带探测器的制备方法包括：在SOI材料的顶硅层上采用原位掺杂工艺外延生长吸收层；在所述吸收层上重掺杂生长导电层；在所述导电层上键合高阻硅晶圆；通过深硅刻蚀工艺去除所述SOI材料的底硅层；通过湿法腐蚀工艺去除SOI材料的埋...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十研究所授权不得商用。

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