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本发明提供了一种栅极氧化层的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一栅极氧化层；在所述第一栅极氧化层上涂布光刻胶并进行光刻和湿法刻蚀，形成开口；利用药液SPM去除所述第一栅极氧化层上的光刻胶；利用药液SC1去除所述开口上...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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