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本发明公开了一种或非门闪存存储器，包括：基底，在第一方向上开有深隔离槽，在第二方向上开有浅隔离槽，所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度；氧化层，位于深隔离槽内；沟道区，位于浅隔离槽内；隧穿氧化层，位于沟道区之上；浮栅层，位于隧穿氧化层之...
该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。

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