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本发明涉及化学气相沉积法领域，具体涉及一种在玻璃基底上二氧化硅薄膜的低压化学气相法（LPCVD）沉积。本发明在CVD沉积过程中，将硅源和氧气分开通入反应腔，先利用硅源在玻璃基底上沉积一层硅膜，然后再利用氧气将硅膜氧化从而获得二氧化硅薄膜；具...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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