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本发明公开了一种有机/氮化镓异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p‑n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方法包括：采用外延生长...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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