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本发明提供一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法，其外延结构，从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温GaN缓冲层、高温u型GaN层、高温n型GaN层、低温应力释放层V-pits层、多量子阱发光层、p型AlGa...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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