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本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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