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本实用新型提供一种图像传感器，包括：光电二极管，所述光电二极管位于第一导电类型半导体衬底内的第二导电类型区域；第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面上；转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域位于所述第一导电类型半导...
该专利属于格科微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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