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本发明公开了一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺，其特征在于，在衬底材料上初步加工完成化合物半导体部件后，通过在硅片上加工形成相应的金属布线方式，使该化合物半导体部件在倒置后，部件的引出端与硅片上的金属引线指定位置相键合，形成对化合物半导...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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