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本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，属于晶体硅太阳能电池片制造领域。该工艺将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70-120o...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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