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本发明GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法，包括如下步骤：第一步，将经切片、倒角、磨片加工后的硅片进行分类，分拣出凸出曲面的硅片及凹陷曲面的硅片；第二步，将凸出曲面的硅片翻转为凹陷曲面的硅片后指定硅片的凸出曲面进行气相沉积并指定凹陷曲面抛...
该专利属于上海申和热磁电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海申和热磁电子有限公司授权不得商用。

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