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本发明提供一种高压芯片LED结构及其制作方法，通过三步PECVD生长法在隔离槽内填充绝缘材料，解决了LED器件良率和可靠性提升的问题；其次，本发明通过动态刻蚀工艺形成隔离槽，解决了常规刻蚀工艺刻蚀均匀性不足导致芯片因短路而失效的问题；另外，...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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