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一种改善电流扩展的半导体器件制造技术
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下载一种改善电流扩展的半导体器件的技术资料
文档序号:11319584
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本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件,其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层,所述电流扩展层的材质为导电材料,且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同,其电导率比外延层材料高,因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。
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