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本发明涉及一种基于铜衬底的氮化物LED外延片结构及其制备方法，包括铜衬底、二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述铜衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述铜衬底的表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上。制备步...
该专利属于北京中科天顺信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中科天顺信息技术有限公司授权不得商用。

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