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一种半导体器件包括增强型GaN FET(102)和耗尽型GaN FET(104)，耗尽型GaN FET(104)串联地电耦合在增强型GaN FET的栅极节点(120)和半导体器件的栅极端子(116)之间。耗尽型GaN FET的栅极节点(12...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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