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一种隔离结构的形成方法,包括:提供衬底;进行氧离子注入,以在衬底距离衬底表面一定深度的位置形成掺杂区;进行氧离子注入之后,在衬底内形成沟槽;形成沟槽之后,进行热处理以在掺杂区位置形成埋氧化层,沟槽露出埋氧化层;形成覆盖沟槽底部和侧壁的绝缘层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种隔离结构的形成方法,包括:提供衬底;进行氧离子注入,以在衬底距离衬底表面一定深度的位置形成掺杂区;进行氧离子注入之后,在衬底内形成沟槽;形成沟槽之后,进行热处理以在掺杂区位置形成埋氧化层,沟槽露出埋氧化层;形成覆盖沟槽底部和侧壁的绝缘层...