温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一伪栅结构、位于第一伪栅结构两侧表面的第一侧墙、位于第一伪栅结构上的第一硬掩膜层，第二区域上形成有第二伪栅结构以及位于第二伪栅结构两侧侧壁表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。