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本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化...
该专利属于湖南共创光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南共创光伏科技有限公司授权不得商用。

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