下载用于通过溶液生长法制造SiC单晶的装置、以及用于使用该制造装置和该制造装置中使用的坩埚制造SiC单晶的方法的技术资料

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用于溶液生长法的制造装置。该制造装置(10)包括籽晶架(28)和坩埚(14)。籽晶架(28)具有下端表面,该下端表面上附着有SiC籽晶(32)。坩埚(14)容纳有SiC溶液(15)。坩埚(14)包括圆柱形部分(34)、底部(36)和内盖(3...
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