专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
丰田自动车株式会社
>
用于通过溶液生长法制造SiC单晶的装置、以及用于使用该制造装置和该制造装置中使用的坩埚制造SiC单晶的方法制造方法及图纸
>技术资料下载
下载用于通过溶液生长法制造SiC单晶的装置、以及用于使用该制造装置和该制造装置中使用的坩埚制造SiC单晶的方法的技术资料
文档序号:11249753
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
用于溶液生长法的制造装置。该制造装置(10)包括籽晶架(28)和坩埚(14)。籽晶架(28)具有下端表面,该下端表面上附着有SiC籽晶(32)。坩埚(14)容纳有SiC溶液(15)。坩埚(14)包括圆柱形部分(34)、底部(36)和内盖(3...
该专利属于丰田自动车株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。