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本发明公开了一种射频LDMOS器件，漂移区由第一注入区和第二注入区组成；第一注入区位于多晶硅栅的第二侧面到第一法拉第屏蔽层的第二侧面之间；第二注入区位于第一法拉第屏蔽层的第二侧面到漏区之间并将漏区包围；所述第二法拉第屏蔽层的第二侧面为靠近所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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