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本发明公开了一种双重图形光刻对准方法，通过在第二硬掩模层形成多个浅槽，并在第二硬掩模层和第一硬掩模层形成多个深槽，由此形成浅槽和深槽间隔而设的深度不同的对准标记，以增强对准标记的信号强度，易于被采集到。本发明较佳地通过调整两个硬掩模层的厚度...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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