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本发明公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构，属于半导体器件封装领域。该封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点；所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层，焊盘开口上方设有导电金属柱，...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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