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本发明公开了一种电阻式存储器及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与掩膜层的介电层。接着，进行蚀刻工艺，于介电层与掩膜层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，...
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