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本发明公开一种垂直式晶体管元件及其制作方法，该晶体管元件包括基材、第一源极、漏极、第一栅介电层、第一栅极以及第一掺杂区。基材具有至少一个凸出部。第一源极具有第一电性，形成于基材上。漏极具有第一电性，且位于凸出部上方。第一栅极邻接于凸出部的第...
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