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本发明公开了一种直流耦合型高能脉冲磁控溅射镀膜方法，所述方法包括在高能脉冲磁控溅射电压中耦合入低直流电压，构成磁控溅射耦合电压；由恒定低电压提供稳定的低离化率等离子体，提高薄膜的沉积速率，而高能脉冲电压，实现等离子体的瞬时高离化；协调耦合电...
该专利属于中国科学院力学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院力学研究所授权不得商用。

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