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一种利用磁控溅射制备具有择优取向的多晶硅薄膜方法，包括如下步骤：步骤1：选择石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退...
该专利属于无锡慧明电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡慧明电子科技有限公司授权不得商用。

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