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本发明公开了一种硅基垂直槽式纳米线光调制器，可用于光通信、集成光子学和硅基光子学等领域。在垂直槽式纳米线的基础上，通过在其缝隙区及上包层填充电光系数高、折射率低的聚合物材料，高折射率区为本征硅，两侧为铌酸锂并与电极直接接触，构建硅光调制器。...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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