温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种TSV Interposer结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其封装方法如下：取晶圆并在晶圆的一面开设盲孔Ⅰ，通过同时抽真空、加热、加压的方式将绝缘层压合在晶圆的表面和盲孔Ⅰ内，通过定位、激光开孔工艺在盲孔Ⅰ内开设盲...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。