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基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法技术
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下载基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法的技术资料
文档序号:11194015
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本发明涉及一种基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法。其技术方案是:先以10~35wt%的碳酸盐粉、10~30wt%的氯化盐、20~30wt%的硅粉和20~30wt%的碳化硅粉为原料,混合;再外加所述原料3~10wt%的亚硫酸纸浆...
该专利属于武汉科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉科技大学授权不得商用。
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