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一种存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元，所述存储单元包括第一传输NMOS管、第二传输NMOS管、第一下拉NMOS管、第二下拉NMOS管、第一上拉PMOS管和第二上拉PMOS管，所述测试方法包括：...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。