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揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤：建立占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动，以使得晶...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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