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一种鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有侧壁倾斜的伪鳍部，所述伪鳍部的顶部宽度小于底部宽度；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与伪鳍部的表面齐平；去除部分高度...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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