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本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出场截止层；各通过一次光刻和离子注入，在场截止层表面形成背面PN交隔结构；在背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将衬底与N型硅片键合在一起；采...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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