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本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，其包含下列步骤：例如，形成一贯穿孔于一中介层，其中该中介层的厚度不大于第一导电柱的长度；设置该第一导电柱于该贯穿孔；沉积一线路重布层，其电性连接该第一导电柱；设置一锡球于该线路重布层上，以形成一晶圆级...
该专利属于南茂科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南茂科技股份有限公司授权不得商用。

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