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一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有导电层，所述基底表面形成有介质层；在所述介质层内形成具有暴露所述部分导电层的开口；采用钝化溶液对开口底部的导电层表面进行钝化，形成钝化层；采用清洗溶液，对开口...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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