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本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，其中，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个离子注入区；在相邻的两个所述离子注入区之间外延形成用作鳍形沟道的鳍片；在相邻的两个所述鳍片之间形成隔离结构。根据本发明，形成的所述...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。