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本发明提供一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管，涉及半导体制造技术领域，包括：提供一硅片，在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极；在所述硅片正面沉积第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀形成源极；用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。