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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在晶体管的沟道区域形成锗硅层，可以有效地对晶体管的阈值电压进行调节，使得制造的半导体器件具有不同的阈值电压。本发明的半导体器件，可以采用上述半导体器...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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