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一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,其中,鳍式场效应晶体管的形成方法包括:提供基底,在基底上形成有鳍部;在鳍部表面选择性生长拓扑绝缘体层;形成栅介质层,栅介质层覆盖拓扑绝缘体层,形成横跨栅介质层的第一栅极;分别去除鳍部两端的栅介质层和拓扑绝缘...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,其中,鳍式场效应晶体管的形成方法包括:提供基底,在基底上形成有鳍部;在鳍部表面选择性生长拓扑绝缘体层;形成栅介质层,栅介质层覆盖拓扑绝缘体层,形成横跨栅介质层的第一栅极;分别去除鳍部两端的栅介质层和拓扑绝缘...