下载鳍式场效应晶体管及其形成方法的技术资料

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一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述鳍式场效应晶体管包括:基底;位于所述基底上的鳍部;位于所述鳍部侧壁和上表面的缓冲层;位于所述缓冲层上的GaN层,所述缓冲层用于减小GaN层内的应力;位于所述GaN层上的栅介质层;位于所述栅介质层上的栅极...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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