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本发明提供了一种PMOS晶体管结构及其制造方法，其中，所述制造方法包括：在半导体衬底依次形成第一材料层与第二材料层；在所述第二材料层上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，依次对所述第二材料层、第一材料层以及部分半导体衬底进行第一次刻蚀；对所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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