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本申请公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：晶体管，形成在半导体衬底上；第一绝缘薄膜，形成在该半导体衬底上方；以及第一和第二电容器，位于该第一绝缘薄膜上。该第一电容器包括下部电极、铁电体和上部电极。该下部电极和该上部电...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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